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专利:三聚氰胺设备用碳化硅远红外辐射加热装置

来源:www.js-rongda.com 发布时间:2013-10-30<

 

专利:三聚氰胺设备用碳化硅远红外辐射加热装置

发明人:孙书荣(摘要:本实用新型提供了三聚氰胺设备用碳化硅远红外辐射加热装置,包括壳体、电阻带、接线柱,其中,所述电阻带为铁铬铝电热合金加工而成的扁平发热构件,由于所述电阻带为铁铬铝电热合金加工而成的扁平发热构件,使电阻带具有较好的耐高温性能、从而,延长了加热装置整体的使用寿命、提高了本实用新型的导电性和热效率。)

1. 三聚氰胺设备用碳化硅远红外辐射加热装置,其特征在于,包括壳体、电阻带、接线

柱,所述电阻带为铁铬铝电热合金加工而成的扁平发热构件。

2. 如权利要求1 所述三聚氰胺设备用碳化硅远红外辐射加热装置,其特征在于,所述

电阻带采用氩弧焊接在所述接线柱的电极上。

三聚氰胺设备用碳化硅远红外辐射加热装置

技术领域

[0001] 本实用新型涉及一种远红外辐射电加热装置,特别涉及一种反应釜用远红外辐射

电加热装置,属于加热装置的技术领域。

背景技术

[0002] 传统化工类生产中大量使用的各种热交换反应釜大都是采用导热油、蒸汽、明火、

电感等加热方式,但这些方式均具有能耗高、安全隐患大、对环境污染严重等缺点。

[0003] 为了解决上述技术问题,中国专利文献公开了一种反应釜,该专利名称为“远红

外电加热反应罐”,专利号为“ZL89213245.0”,该反应罐包括罐体、物料进出口,电源接线

盒,其中,所述罐体中、下和底部外表面与外套之间的环空中依次装有其中嵌有电阻带的远

红外辐射器,保温层和反射罩,该罐体有普通型和防爆型两种形式,用控温装置接通电源,

使装在远红外辐射器中的电阻带产生热能,从而激发远红外辐射器释放远红外线辐射电磁

波,以对被加热物体进行加热交换,由于物质对远红外电磁波有良好的吸收率,物质吸收远

红外电磁波的辐射后,物质内部分子产生自发热效应,加之电磁波具有一定的穿透力,故能

使被加热物质表里同时升温,从而提高了热能的转换效率。虽然该加热方式具有升温快、耗

能小的优点,但它的电阻带为不锈钢材质的,长时间使用,由于不锈钢不耐高温,容易被损

坏,且导电性能差,因此,影响了加热装置的整体性能。

实用新型内容

[0004] 本实用新型所要解决的技术问题是提供一种导电性能好、使用寿命长且耐高温的

三聚氰胺设备用碳化硅远红外辐射加热装置。

[0005] 为了解决上述技术问题,本实用新型三聚氰胺设备用碳化硅远红外辐射加热装

置,包括壳体、电阻带、接线柱,其中,所述电阻带为铁铬铝电热合金加工而成的扁平发热构

件。

[0006] 上述三聚氰胺设备用碳化硅远红外辐射加热装置,其中,所述电阻带与所述接线

柱的电极采用氩弧焊接成一体。

[0007] 本实用新型可实现以下有益效果:

[0008] 1、由于所述电阻带为铁铬铝电热合金加工而成的扁平发热构件,使电阻带具有较

好的耐高温性能、从而,延长了加热装置整体的使用寿命、提高了本实用新型的导电性和热

效率。

[0009] 2、由于所述电阻带与所述接线柱的电极采用氨弧焊接成一体,使电阻带的连接更

加牢固,且加工简单。

附图说明

[0010] 1 是本实用新型的结构示意图。

[0011] 2 是本实用新型的使用状态示意图。

[0012] 3 是本实用新型的电阻带的结构示意图。

具体实施方式

[0013] 下面结合附图对本实用新型作进一步说明。

[0014] 如图所示,为了解决上述技术问题,本实用新型三聚氰胺设备用碳化硅远红外辐

射加热装置,包括壳体1、电阻带2、接线柱,电阻带与壳体之间设有保温层5 及绝缘层4,电

阻带2 呈距齿形的排列在壳体内,使单面积的电热面积增加,从而,使加热装置的加热更加

快,所述电阻带外涂有远红外涂层3,远红外涂层3 由可产生远红外的涂料而形成。所述电

阻带2 为铁铬铝电热合金加工而成的扁平发热构件,由于所述电阻带2 为铁铬铝电热合金

加工而成的扁平发热构件,使电阻带2 具有较好的耐高温性能、从而,延长了加热装置整体

的使用寿命、提高了本实用新型的导电性,从而,大大提高了本实用新型的整体安全性。所

述电阻带2 与所述壳体1 之间采用氩弧焊接成一体。使用时,将加热装置通过法兰10 安装

在设备11 外。为了使加热装置的加热性能更好,可在外壳1 内设有远红外碳化硅条6,远红

外碳化硅条通过焊接或其它方式固定在外壳1 内。

[0015] 综上所述,本实用新型具有导电性能好、热效率高、节能且环保、使用寿命长、耐高

温且结构简单的特点。

[0016] 这里本实用新型的描述和应用是说明性的,并非想将本实用新型的范围限制在上

述实施例中,因此,本实用新型不受本实施例的限制,任何采用等效替换取得的技术方案均

在本实用新型保护的范围内。
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